博士后-韓學(xué)峰課題組（J10045）

面議

杭州博士研究生若干人 2024-11-14發(fā)布查看公告詳情

競(jìng)爭(zhēng)力分析

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職位詳情

基本信息

職位名稱(chēng)：博士后-韓學(xué)峰課題組（J10045）

職位類(lèi)型：博士后

工作地點(diǎn)：浙江杭州

招聘人數(shù)：若干

報(bào)名方式：站內(nèi)投遞

截止時(shí)間：2024-11-24

用人部門(mén)：韓學(xué)峰課題組（J10045）

工作性質(zhì)：全職

其他要求

學(xué)歷要求：博士研究生

年齡要求：年齡原則上不超過(guò)35周歲

需求專(zhuān)業(yè)：

物理學(xué), 材料科學(xué)與工程, 電子科學(xué)與技術(shù), 集成電路科學(xué)與工程

該需求專(zhuān)業(yè)僅展示一級(jí)學(xué)科

崗位職責(zé)

招聘方向/崗位職責(zé)
寬禁帶半導(dǎo)體材料與設(shè)備模擬計(jì)算
方向1：碳化硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程計(jì)算
碳化硅生長(zhǎng)過(guò)程中熱場(chǎng)，電磁場(chǎng)，流場(chǎng)以及化學(xué)反應(yīng)的模擬計(jì)算；
方向2：碳化硅外延生長(zhǎng)過(guò)程計(jì)算
碳化硅外延生長(zhǎng)過(guò)程中流場(chǎng)、熱場(chǎng)，外延生長(zhǎng)速率及化學(xué)反應(yīng)的模擬計(jì)算；
方向3：碳化硅材料分子尺度計(jì)算（KMC,MD）
碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中晶核分布和結(jié)晶方向等微觀尺度模擬計(jì)算。

任職要求

1.具有相關(guān)學(xué)科背景，包括微集成電路、微電子、材料、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)、從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；
2.近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過(guò)35周歲；
3.具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和較強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；
4.具有良好的英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)讀寫(xiě)能力；
5.保證全職從事博士后研究工作。

競(jìng)爭(zhēng)力分析

解鎖詳細(xì)分析

您與該職位匹配度: ***，已超過(guò)了 *** 的競(jìng)爭(zhēng)者，建議************

較低

一般

比較匹配

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