院系/所/中心(School)

碳基電子學(xué)研究中心

合作導(dǎo)師(Mentor)

梁學(xué)磊教授

研究專業(yè)/方向(Department/Area)

納電子器件與系統(tǒng)集成

年薪標(biāo)準(zhǔn)

(Annual Salary)

1、基本待遇（包括五險(xiǎn)一金、博士后住房補(bǔ)貼/博士后公寓等）按北京大學(xué)博士后流動(dòng)站相關(guān)規(guī)定執(zhí)行；

2、條件優(yōu)異者，支持依托課題組申請(qǐng)國(guó)家“博新計(jì)劃”及北京大學(xué)“博雅博士后”等博士后項(xiàng)目，另享相關(guān)待遇。

3.北京大學(xué)博士后相關(guān)管理政策：http://postdocs.pku.edu.cn/

職位描述

(Position Description)

受聘博士后主要從事（不限于）高性能碳納米管器件與集成電路相關(guān)研究，歡迎擁有電子、材料、化學(xué)等相關(guān)背景的畢業(yè)/準(zhǔn)畢業(yè)博士生申請(qǐng)。

候選人基本條件(Basic Qualifications)

1.年齡不超過(guò)35周歲，獲得博士學(xué)位不超過(guò)3年；

2.博士期間在相關(guān)領(lǐng)域的主流期刊上發(fā)表過(guò)文章，有良好的中英文寫(xiě)作能力和良好的團(tuán)隊(duì)溝通能力。。

3.對(duì)待科研工作認(rèn)真負(fù)責(zé)，執(zhí)行力強(qiáng)，有獨(dú)立思考能力。

候選人附加條件(Additional Qualifications)

有以下一條或多條相關(guān)背景的博士后候選人將被優(yōu)先考慮：

1．原子層沉積（ALD）技術(shù)背景；

2．低維材料電子器件制備研究背景；

3．集成電路設(shè)計(jì)研究背景。

申請(qǐng)材料

(Applicant Documents)

申請(qǐng)人簡(jiǎn)歷及能體現(xiàn)個(gè)人能力的相關(guān)資料（完整的學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷、主要研究工作、代表論文論著清單，簡(jiǎn)短個(gè)人陳述等）。

聯(lián)系人

(Contact Information)

梁學(xué)磊：（點(diǎn)擊查看），請(qǐng)【點(diǎn)擊下方“立即投遞/投遞簡(jiǎn)歷”，即刻進(jìn)行職位報(bào)名】

備注

(Remark)

郵件標(biāo)題：博后申請(qǐng)+姓名。初選通過(guò)后，郵件或電話通知候選人；申請(qǐng)材料恕不退回。

截止時(shí)間

(Due Date)

長(zhǎng)期有效