一、研究所簡介
1956年，在新中國首個中長期科學(xué)技術(shù)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件——《1956-1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被確立為國家新技術(shù)發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)研究的基石、構(gòu)建系統(tǒng)化的研發(fā)體系，我國于1960年9月在北京成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(Institute of Semiconductors,CAS)，開啟了中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。
建所65年來，半導(dǎo)體研究所在我國半導(dǎo)體科技發(fā)展的各個歷史階段均做出了重大貢獻(xiàn)，取得了令人矚目的成就：中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺硅單晶爐、區(qū)熔爐等，均誕生于半導(dǎo)體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項(xiàng)，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學(xué)技術(shù)獎。
半導(dǎo)體研究所作為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應(yīng)用為一體的國家級綜合性研究機(jī)構(gòu)，擁有兩個全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室——光電子材料與器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；一個院級實(shí)驗(yàn)室——中國科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；還設(shè)有納米光電子實(shí)驗(yàn)室、人工智能與高速電路實(shí)驗(yàn)室、光電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室、全固態(tài)光源實(shí)驗(yàn)室、寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測中心。現(xiàn)有職工700余人，其中包括中國科學(xué)院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進(jìn)人才計劃入選者53人，國家級領(lǐng)軍人才計劃入選者27人，國家級青年人才計劃入選者17人。研究所設(shè)有3個博士后流動站，擁有8個學(xué)術(shù)型學(xué)科專業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點(diǎn)，以及2個專業(yè)學(xué)位領(lǐng)域培養(yǎng)點(diǎn)。作為中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學(xué)與工程”學(xué)科入選國家一流學(xué)科。
二、研究所科研條件支撐平臺
研究所構(gòu)建了覆蓋半導(dǎo)體研發(fā)制造全鏈條的國際一流設(shè)施和技術(shù)體系，涵蓋材料仿真、分子束外延生長、納米光刻、等離子刻蝕、先進(jìn)封裝及晶圓級測試等全流程能力，包括：從原子級到系統(tǒng)級半導(dǎo)體材料與器件仿真，從分子束外延到納米級電子束光刻系統(tǒng)，從等離子體刻蝕系統(tǒng)到晶圓級先進(jìn)封裝，以及完備的材料表征實(shí)驗(yàn)室和晶圓級測試平臺。研究所現(xiàn)有百級/千級超凈實(shí)驗(yàn)室總面積逾6000平方米，大型半導(dǎo)體設(shè)備種類齊全，可制備III-V族化合物、寬禁帶以及硅基等多種先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件，工作波長覆蓋紫外、可見光、紅外、太赫茲至微波波段，形成了“機(jī)理-設(shè)計-制造-封裝-測試”五位一體的完整研發(fā)閉環(huán)，可為微電子和光電子系統(tǒng)提供從原型開發(fā)到小批量試制的全周期支撐。
三、招聘領(lǐng)域
半導(dǎo)體所擬在半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域（包括但不限于凝聚態(tài)物理、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理、半導(dǎo)體材料與器件、半導(dǎo)體光電子學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、物理電子學(xué)、集成電路科學(xué)與工程、光學(xué)工程、電路與系統(tǒng)、電子信息、材料與化工等學(xué)科方向）招聘海內(nèi)外青年人才。
四、招聘崗位
詳見《中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘計劃》（附件1）。
五、應(yīng)聘條件
1.獲得博士學(xué)位，且獲學(xué)位時間一般不超過3年；
2.身心健康，年齡在35周歲以下（含35歲）；
3.進(jìn)站后保證全脫產(chǎn)從事博士后研究工作；
4.恪守科研道德和學(xué)術(shù)規(guī)范，學(xué)風(fēng)正派，愛崗敬業(yè)，誠實(shí)守信；
5.具有較大發(fā)展?jié)摿?，較好的創(chuàng)新研究成果，良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神；
6.符合全國博管會及研究所招收博士后的相關(guān)要求。
六、福利待遇
1.半導(dǎo)體所提供有競爭力的薪酬待遇，享受完備的社保和福利待遇；
2.支持申請國家資助博士后研究人員計劃（A/B/C檔）、博士后國（境）外交流項(xiàng)目、中國科學(xué)院特別研究助理資助項(xiàng)目、中國博士后科學(xué)基金、國家自然科學(xué)基金等基金項(xiàng)目；
3.成果優(yōu)秀的博士后出站后可優(yōu)先競聘半導(dǎo)體所的相關(guān)工作崗位；
4.享受全國博管會關(guān)于出站博士后戶口遷移及家屬戶口隨遷等政策。
七、應(yīng)聘材料
1.《中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）申請表》（附件2）；
2.證明個人能力的材料，如：博士學(xué)位論文、論文著作首頁、專利證書、獲獎證書復(fù)印件等；
3.畢業(yè)證書、學(xué)位證書掃描件(未獲得學(xué)位可暫用培養(yǎng)單位證明代替)。
八、應(yīng)聘程序
應(yīng)聘者以電子郵件附件的形式將應(yīng)聘材料發(fā)送至各崗位聯(lián)系人郵箱，郵件標(biāo)題請注明“博士后競聘+姓名+專業(yè)+畢業(yè)學(xué)校”。研究所各相關(guān)部門將對應(yīng)聘人員進(jìn)行資格審查，并電話或郵件通知初審合格者后續(xù)招聘事宜，資格審查未通過者，不再另行告知。
應(yīng)聘過程中如有政策問題請聯(lián)系半導(dǎo)體所人事教育處：
聯(lián)系人：陳老師
電話：010-82305345
地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
官方網(wǎng)站：http://www.semi.cas.cn
附件下載>>>>附件1.中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘計劃.xlsx
附件下載>>>>附件2.中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）申請表.docx
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來源鏈接：
http://www.semi.cas.cn/zszp/202507/t20250718_7892376.html
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