中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)光電信息技術(shù)研究室H組致力于研究III-V組化合物半導(dǎo)體單晶材料生長和襯底制備等工作研制高性能紅外光電探測器及激光器用晶圓材料。根據(jù)工作需要，擬招聘研發(fā)人員1-2名，相關(guān)情況如下：
一、工作方向：
半導(dǎo)體材料的晶體生長、化學(xué)腐蝕、表面處理及缺陷分析等相關(guān)研發(fā)工作
二、崗位
III-V族化合物半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性質(zhì)測試和相關(guān)工藝技術(shù)的研發(fā)工作
三、人選要求：
（一）熱愛科研工作，踏實(shí)努力，具有責(zé)任心和團(tuán)隊(duì)合作精神；
（二）具有如下專業(yè)背景（任一）：半導(dǎo)體物理、材料物理與化學(xué)、材料學(xué)、半導(dǎo)體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上，博士優(yōu)先；
（三）優(yōu)先考慮具有如下至少一項(xiàng)研究背景與專長的申請(qǐng)者：
a)晶體材料生長技術(shù)：LEC、VGF等熔體法單晶生長技術(shù)；
b)半導(dǎo)體材料測試與表征技術(shù)：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；
c)半導(dǎo)體材料化學(xué)腐蝕及表面性質(zhì)研究；
（四）有在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表專業(yè)文章的經(jīng)歷；
（五）研究生優(yōu)先考慮有半導(dǎo)體化學(xué)、工藝制備、測試表征、超凈間工作經(jīng)驗(yàn)者。
四、相關(guān)待遇：
1.按照中國科學(xué)院及半導(dǎo)體研究所的相關(guān)規(guī)定辦理五險(xiǎn)一金，薪酬從優(yōu)，面談。
2.北京戶口有望進(jìn)入編制。
3.業(yè)績突出者將享有項(xiàng)目績效。
五、應(yīng)聘方式：
（1）應(yīng)聘者需提交個(gè)人詳細(xì)履歷和《崗位應(yīng)聘申請(qǐng)表》，電子郵件方式發(fā)送至shenguiying@semi.ac.cn，請(qǐng)【點(diǎn)擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進(jìn)行職位報(bào)名】；
（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；
六、聯(lián)系方式：
有意者請(qǐng)將個(gè)人簡歷及能夠體現(xiàn)個(gè)人能力的相關(guān)資料發(fā)送至:shenguiying@semi.ac.cn電話：010-82304848
郵件主題中請(qǐng)注明“工程師崗位申請(qǐng)—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復(fù)。
注：團(tuán)隊(duì)歡迎在讀研究生來所聯(lián)合培養(yǎng)！
中國科學(xué)院半導(dǎo)體所崗位應(yīng)聘申請(qǐng)表.doc
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